Samsung opracował szybką pamięć LLW DRAM
Samsung opracowuje nowy typ pamięci o nazwie Low Latency Wide I/O (LLW) DRAM, donosi Tom’s Hardware.
Pamięć ta charakteryzuje się wysoką przepustowością, minimalnymi opóźnieniami i niskim zużyciem energii.
Według Samsunga, LLW DRAM jest idealna dla systemów sztucznej inteligencji opartych na dużych modelach językowych (LLM).
Nowa pamięć oferuje wysokie możliwości I/O, niskie opóźnienia i przepustowość 128 GB/s na moduł. Jest to wynik porównywalny z połączeniem pamięci DDR5-8000 i 128-bitowej magistrali.
Jedną z kluczowych cech LLW DRAM jest niskie zużycie energii – tylko 1,2 pJ/bit, choć konkretna szybkość transmisji, przy której zmierzono tę wartość, pozostaje nieznana.
Chociaż Samsung nie ogłosił jeszcze terminu wprowadzenia nowej pamięci na rynek, biorąc pod uwagę ujawnione specyfikacje, rozwój LLW DRAM jest prawdopodobnie prawie zakończony.
Oczekuje się, że ta innowacyjna technologia będzie wykorzystywana w peryferyjnych urządzeniach komputerowych dla systemów sztucznej inteligencji – smartfonach, laptopach i być może samochodach.
